27/12/2006 14:47
Компания Samsung сегодня объявила о разработке первого 80нм гигабайтного
чипа памяти Mobile DRAM, предназначенного для работы в мобильных электронных
устройствах. Инженеры Samsung говорят, что новинка использует технологию
Synchronous DRAM, которая снижает энергопотребление чипа на 30% по сравнению
с предшественниками. По словам разработчиков, на рынке уже есть 1Гб чипы,
но технически они представляет собой два соединенных между собой 512-мегабайтных
модуля. Новинка же от Samsung хоть и использует те же принципы, но представляет
собой монолитный чип, что дает меньшее тепловыделение в процессе работы,
а также более высокую скорость передачи данных. По размерам новым 80нм чипы
на 20% тоньше своих 512мб предшественников. Массовое производство новинки
намечено на весну 2007 года.
Оригинал (на 27/12/2006): cybersecurity.ru
В случае обнаружения неточностей или ошибок просим Вас сообщить об этом по адресу
|