Ученые из Стэнфорда разработали новый способ изготовления транзисторов из углеродных наноструктур, известных под названием "наноленты".

Как утверждается, эти транзисторы являются еще одним шагом на пути к созданию высокопроизводительных микросхем для компьютеров, которые будут работать быстрее и выделять значительно меньше тепла, чем современные кремниевые микросхемы.

Группа ученых впервые смогла создать из углеродных наноструктур полевой транзистор, ключевой элементом микросхем, который может работать при комнатной температуре. Раньше для работы таких приборов требовалось существенно понижать температуру (до температуры жидкого гелия, 4 градуса по шкале Кельвина). Возможность работы при высокой температуре обусловило применение в конструкции транзистора "нанолент" шириной менее 10 нм (в 50 тыс. раз тоньше человеческого волоса). Ранее создание таких тонких лент было невозможно. На схеме показан полевой транзистор на подложке из двуокиси кремния, в котором углеродная "нанолента" соединяет электроды, изготовленные из палладия (S и D).

Интерес к технологиям, которые должны будут заменить используемую сейчас кремниевую технологию, огромен. Это объясняется тем, что эксперты оценивают временной потенциал дальнейшей микроминиатюризации кремниевой электроники в одно десятилетие. Углеродные наноструктуры представляются одним из наиболее вероятных кандидатов на роль материала для микросхем будущего.