Концерн Samsung Electronics вложит семь миллиардов долларов в строительство завода в Сиане (КНР, Шаньси) по производству чипов флеш-памяти NAND . Об этом, как сообщает The Korea Times, заявил пресс-секретарь южнокорейской компании Кен Но (Ken Noh).

По его словам, совет директоров компании уже одобрил выделение первых 2,3 миллиарда долларов на этот проект. Неназванный источник рассказал газете, что руководство рассматривало также Пекин в качестве места строительства, однако выбор был сделан в пользу Сианя в связи с финансовой и административной поддержкой со стороны региональных властей. В концерне еще в декабре прошлого года сообщали, что намерены строить завод в КНР, поскольку эта страна является самым быстрорастущим рынком для продажи чипов флеш-памяти.

В настоящее время у Samsung есть только один завод по производству устройств флеш-памяти за пределами Южной Кореи - в Остине (США, Техас). Это предприятие, где производятся также процессоры для мобильных устройств, поставляет, в частности, комплектующие для iPad . В этом году Apple увеличила заказ у Samsung до 11 миллиардов долларов, тогда как в 2011 году южнокорейский производитель поставил американской компании продукции на 7,8 миллиарда долларов.

Bloomberg отмечает, что Samsung увеличивает производство устройств флеш-памяти на фоне прогнозируемого роста спроса на эту продукцию на 49 процентов в 2010-2015 годах. Конкуренты корейской компании, производящие чипы флеш-памяти DRAM , терпят убытки после рекордного спада цен на устройства этого типа.

В сентябре прошлого года Samsung открыл завод в Южной Корее, на строительство которого было потрачено 10,6 миллиарда долларов. Предприятие является крупнейшим заводом по производству чипов флеш-памяти, причем на нем производятся устройства как типа NAND, так и DRAM.