Компания Intel сегодня анонсировала разработки нового типа компьютерной
памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory), которая представляет собой
усовершенствованный вариант флеш-памяти. В Intel говорят, что ведут разработки
совместно в компанией PCM. Ожидается, что первые образцы модулей новой памяти
должны появиться в конце июня 2007 года. Инженеры Intel говорят, что RRAM
является более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR,
вместе с тем, в компании подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей
памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим
гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой
и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет. В
компании отмечают, что свои разработки в области новой памяти также ведут
и Samsung, Hitachi и IBM и все эти компании позиционируют PRAM-память как
универсальное решение, придущее на смену NOR. Специалисты Intel говорят,
что на сегодня самой быстрой компьютерной памятью является DDR-пямять, используемая
в качестве ОЗУ компьютеров и серверов, время ее доступа к данным составляет
около 3 нс. Большинство образов флеш-памяти, используемой в фотоаппаратах,
плеерах и прочих устройствах, имеет время доступа 50-90 нс. Разработки PRAM
на сегодня имеют время доступа 20 нс, что конечно же не так быстро как DDR,
однако у этих исследований еще большой резерв. И в Intel замечают, что если
PRAM-память достигнет скорости DDR, то компьютеры уже ближайшего будущего
не будут обладать жестким диском и оперативной памятью - эти устройства
заменит единый модуль. На сегодня лабораторные образцы PRAM-памяти емкостью
512 Мб представила лишь Samsung и в компании обещают начать массовое производство
к 2008 году, однако Intel хоть и не показала рабочих моделей, обещает начать
демонстрацию нового формата уже в ближайшие пару месяцев.