Японская научно-исследовательская компания Unisantis разработала и в ближайшем
будущем начнет производство и продажу новых 3D-транзисторов, которые работают
в 10 раз быстрее любых современных образцов. В Unisantis говорят, что заключили
2-летнее соглашение на совместную разработку новинок с сингапурским институтом
микроэлектроники. По данным разработчиков, благодаря новым транзисторам
процессоры смогут работать на частотах 20-50 ГГц. Основная изюминка разработки
кроется в использовании в транзисторах новой объемной структуры, которая
предусматривает наличие вертикальных затворов. Сегодняшние транзисторы применяют
горизонтально расположенные затворы. Официальное название новой разработки
Surrounding Gate Transistor. Разработки новых транзисторов возглавляет технический
директор Unisantis Фуджио Масуока, являющийся одним из основных разработчиков
широко используемой флеш-памяти. По его словам, благодаря объемной структуре,
дистанция, которую необходимо преодолеть электорону от одного затвора до
другого существенно меньше, чем в существующих транзисторах, за счет этого
и работают новинки существенно быстрее. Кроме того, они вырабатывают меньше
тепла и потребляют меньше электроэнергии. "Surrounding Gate Transistor предусматривает
и дальнейшее увеличение скорости работы, даже в том случае, если транзисторы
будут производиться с использованием кремния. С учетом темпов разработки,
прежде чем будет достигнут физический предел этой технологии пройдет еще
примерно 30 лет", - отметил Масуока.