Компании Intel и STMicroelectronics представили первый рабочий прототип
памяти Phase Change Memory (PCM). Инженеры Intel говорят, что PCM является
более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR, вместе
с тем, в компании подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей
памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим
гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой
и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет. В
качестве признака состояния ячейки предлагается использовать изменение фазового
состояния халькогенида (chalcogenide) – вещества, способного под воздействием
нагрева и электрических полей переходить из непроводящего аморфного состояния
(1) в проводящее кристаллическое (0). Такая память, известная как «память
с изменением фазового состояния» (phase change memory, PCM), а также PRAM
и Ovonic Unified Memory, не требует электропитания для сохранения своего
состояния. Наряду с материалами, описывающими возможные перспективы производства
мультигигабитных чипов PCM по 45 нм или 32 нм процессу. В компании отмечают,
что свои разработки в области новой памяти также ведут и Samsung, Hitachi
и IBM и все эти компании позиционируют PCM-память как универсальное решение,
придущее на смену NOR. Специалисты Intel говорят, что на сегодня самой быстрой
компьютерной памятью является DDR-пямять, используемая в качестве ОЗУ компьютеров
и серверов, время ее доступа к данным составляет около 3 нс. Большинство
образов флеш-памяти, используемой в фотоаппаратах, плеерах и прочих устройствах,
имеет время доступа 50-90 нс. Разработки PCM на сегодня имеют время доступа
20 нс, что конечно же не так быстро как DDR, однако у этих исследований
еще большой резерв. И в Intel замечают, что если PCM-память достигнет скорости
DDR, то компьютеры уже ближайшего будущего не будут обладать жестким диском
и оперативной памятью - эти устройства заменит единый модуль. Помимо Intel
и STM, на сегодня лабораторные образцы PCM-памяти емкостью 512 Мб представила
лишь Samsung и в компании обещают начать массовое производство к 2008 году,
однако Intel хоть и не показала рабочих моделей, обещает начать демонстрацию
нового формата уже в ближайшие пару месяцев.