Intel и Micron представили новый революционный вид энергонезависимой памяти 3D XPoint. По заявлению разработчиков — это самое великое изобретение в отрасли со времён разработки NAND-флэш. Новая энергонезависимая память 3D XPoint в 1000 раз быстрее NAND-флэш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее DRAM.

Используемая в 3D XPoint перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.

Производство 3D XPoint будет налажено на 300-мм заводе Micron в штате Юта, который, как считается, относится к совместному с Intel предприятию IM Flash Technologies. По мере развития технологии в микросхемы можно будет добавлять новые слои и заметно наращивать объём решений без значительного увеличения себестоимости.

Разработчики признают, что память 3D XPoint относится к резистивной памяти — ReRAM. Однако держат в тайне механизм переключения узла. Наиболее распространенный метод работы ячейки такой памяти заключается в том, что в объёме ячейки памяти под воздействием управляющих напряжений происходит насыщение ионами действующего вещества и возникают устойчивые токопроводящие нити (например, из ионов меди или серебра). Особая фишка этого метода заключается в том, что насыщение может иметь разную плотность и, соответственно, может создать в ячейке разное сопротивление. Фактически — записать значительно больше одного бита данных. Компании Intel и Micron пока представили память с записью одного бита данных.

Помимо высокой скорости, созданная на основе 3D XPoint память в 1000 раз долговечнее, чем NAND, и имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов.

Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут выпускаться чуть позже в текущем году. Первые продукты на основе новой памяти Intel и Micron начнут выходить уже в 2016-м.