Компания Samsung Electronics сегодня анонсировала новые чипы Flash-памяти
стандарта NAND, изготовленные по 40-нм технологическому процессу, что является
абсолютным рекордом миниатюрности технологий. Более того, в 2008 году компания
планирует представить образцы, созданные по 20-нм процессу. Напомним, что
традиционные образцы NAND-памяти созданы по 70- или 60-нм технологическому
процессу. Технически, уменьшение размеров транзисторов, применяемых в модулях,
позволит вместить их большее количество на единой схеме, что даст дополнительные
объемы памяти. Также компания представила принципиально новые образцы памяти
стандарта PRAM (Phase-change Random Access Memory), которая дает 30-кратный
прирост производительности по сравнению с существующими вариантами NOR-чипов.
В Samsung позиционируют новые разработки как решения для хранения данных
в MP3-плеерах и ноутбуках. Традиционные образцы Flash-памяти на сегодня
не превышают 16 Гб, а новые разработки Samsung должны достичь 100 Гб. Известно,
что первые образцы 40-нм памяти будут иметь объем 32Гб на чип, что позволит
создавать 64Гб карты памяти. По прогнозам инженеров Samsung, в 2008 году
на рынке появятся 20-нм память объемом 256Гб