|
15/02/2007 14:24
Компания IBM на конференции International Solid State Circuits Conference сообщила о новом достижении собственных инженеров в области создания высокопроизводительной памяти eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Использование новых технологий позволяет в три раза повысить емкость чипов памяти и вдвое повысить производительность DRAM-устройств. Новая технология будет использоваться в процессорах, производимых по 45-нм технологии. Технология eDRAM станет коммерчески доступна в 2008 году.
Оригинал (на 15/02/2007): wek.ru
В случае обнаружения неточностей или ошибок
просим Вас сообщить об этом по адресу
|
