Компания Intel продемонстрировала чип памяти, основанный на технологии, работа над которой в целом ведется уже на протяжении 30 лет. Первые образцы чипа под кодовым названием Alverston, разработка которого велась совместно с ST Microelectronics, станут доступны уже в I половине 2007 года, сообщает компания.

В основе чипов Alverston лежит материал, похожий на тот, что применяется для создания дисков CD-ROM. Микросхема разделена на множество крошечных битов. При нагреве материал внутри бита кристаллизуется. В процессе считывания данных луч света попадает на бит, отражается, и получается "единица". После охлаждения бита закристаллизованный материал становится аморфным и превращается в "ноль". Изменение ячейки происходит под воздействием электрического разряда или мгновенного нагревания до 600 градусов по Цельсию.

Данная технология, похоже, заменит существующую флэш-память, которая используется в широком перечне потребительской электроники, начиная с цифровых камер и заканчивая компьютерами. В качестве замены флэш-памяти рассматривались нанокристаллы и магнитная память (исследования вели компании Philips, Samsung и IBM), но наиболее приемлемой технологией разработчики все же посчитали память, работающую на принципе изменения фазового состояния вещества.

Впервые о технологии стало известно еще более 30 лет назад, в 1970 году, когда одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore), в журнале Electronics была опубликована статья о "фазовой памяти" под названием Ovonics.

К преимуществам памяти, в отличие от традиционных чипов, относятся меньшее энергопотребление и возможность размещать на кристалле большее количество битов информации, которые, в свою очередь, более прочно сохраняют состояние, которое не так просто изменить внешним воздействием.

В 2001 году компанией Intel технология 30-летней давности (Ovonics) уже была предложена в качестве альтернативы флэш-памяти, а, по прогнозам аналитиков, массовое производство таких чипов должно было начаться еще в 2003 году.