Intel и Micron Technology сегодня объявили о том, что их совместное предприятие
IM Flash Technologies приступило к выпуску опытных партий передовых многоуровневых
модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND на основе 50-нанометровой
производственной технологии. Размеры микросхемы и ячеек памяти в новых флэш-компонентах
MLC NAND подходят для использования в современных вычислительных и бытовых
электронных устройствах, которые становятся все более компактными и эффективными.
Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC,
будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой
технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит,
уже поставляемые обеими компаниями. Новые модули MLC NAND стали результатом
продуктивного сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего
года; за этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых
подложек для производства флэш-памяти, кроме того, достигнуты значительные
успехи в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной
технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров