Альянс семерых производителей чипов, возглавляемый IBM, представил свой первый процессор, выполненный по 32-нанометровому технологическому процессу, сообщает InformationWeek. Изготовлен чип был на заводе IBM в городе Ист Фишкилл (East Fishkill), штат Нью-Йорк, с использованием технологии high-k/metal gate.

Сообщается, что производительность нового процессора на 35 процентов выше, чем у аналогов, выполненных по 45-нанометровой технологии, а его энергопотребление ниже на от 30 до 50 процентов. Работают чипы на одинаковом напряжении.

Первые 32-нанометровые процессоры должны появиться в продаже в третьем квартале этого года. Проведенные IBM тесты показали, что технология high-k/metal gate может быть использована в создании следующего поколения чипов, которые будут производиться по 22-нанометровому техпроцессу.

Технология high-k/metal gate подразумевает замену диоксида кремния при изготовлении электрода затвора транзистора сплавом на основе гафния, который является хорошим диэлектриком. Используемая сегодня кремниевая технология исчерпала свой потенциал по уменьшению размеров транзисторов.

Альянс для работы над созданием процессоров по 32-нанометровому техпроцессу был создан в декабре 2007 года. В него вошли компании IBM, Toshiba, AMD, Samsung, Chartered, Infineon и Freescale. Деятельность альянса продлится до 2010 года.

Компания Intel отказалась от участия в альянсе. Ее представители подчеркнули, что в силах самостоятельно освоить выпуск 32-нанометровых процессоров. Первую плату с микросхемами памяти, выполненную по 32-нанометровой технологии, компания Intel продемонстрировала в сентябре прошлого года на конференции IDF в Сан-Франциско.