HGST, дочерняя компания Western Digital, показала на&В конференции Flash Memory Summit прототип твердотельного накопителя нового типа, обеспечивающего фактически рекордное быстродействие.

Утверждается, что&В показанное устройство способно выполнять до&В 3&В млн&В операций ввода-вывода в&В секунду в&В режиме произвольного чтения данных блоками по&В 512&В байт. Задержка при&В произвольном чтении составляет 1,5&В микросекунды.

Секрет нового накопителя заключается в&В применении памяти с&В изменяемым фазовым состоянием&В — Phase Change Memory (PCM). Принцип работы изделий данного типа основывается на&В уникальном поведении халькогенида, который при&В нагреве может В«переключатьсяВ» между двумя состояниями: кристаллическим и&В аморфным. При&В изменении состояния происходит переключение между логическим нулём и&В единицей. По&В сравнению с&В флеш-чипами PCM-память обеспечивает значительно более высокое быстродействие. При&В этом сохраняется энергонезависимость.

В прототипе накопителя HGST используются PCM-чипы ёмкостью 1&В Гбит. Устройство хранения данных выполнено в&В виде карты расширения PCIe Gen&В 2x4. Производственные нормы&В — 45&В нанометров.

На коммерческом рынке накопители нового типа могут появиться в&В течение нескольких лет.

Источник: 3dnews.ru