Samsung объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли чипов памяти LPDDR4 DRAM плотностью 12 Гбит. Новая память может поместиться по две или четыре штуки в одном корпусе, обеспечив тем самым создание модуля оперативной памяти для смартфонов объемом 3 и 6 ГБ соответственно.
Модули выпускаются по техпроцессу 20-нанометрового класса. Сейчас это единственный вариант изготовить микросхему мобильной памяти DDR4 объемом 6 ГБ. Немаловажно, что новые микросхемы объемом занимают столько же места, как и нынешние микросхемы объемом 3 ГБ, обеспечивая дополнительную гибкость конструкторам мобильных устройств.
Представленные микросхемы не только емкие, но и быстрые. Они передают данные со скоростью 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что на треть выше показателя микросхем памяти LPDDR4 из компонентов плотностью 8 Гбит и вдвое выше показателя памяти DDR4-2133 для ПК. При этом они потребляют на 20% меньше энергии.
В Сеуле рассчитывают, что преимущества новой памяти проложат ей дорогу не только в мобильные устройства, но и в другие области применения, включая мини-ПК, бытовую и автомобильную электронику.
Согласно заявлению Samsung, первые флагманские Android-смартфоны с 6 ГБ оперативной памяти дебютируют уже в следующем году.
