Компания Samsung открыла новый завод в г Остин (штат Техас, США), который
займется производством компьютерной памяти. Инвестиции в новую мощность
составил 3,5 млрд долларов. По данным Samsung, на новом заводе будут производить
модули флеш-памяти NAND, применяемой в самом широком диапазоне электронных
устройств - плеерах, фотоаппаратах, карманных компьютерах и других потребительских
электронных устройствах. Промышленное производство на заводе начнется во
второй половине текущего года и первыми производимыми чипами станут 16-гигабайтные
модули NAND, произведенные по 50-нм технологии. В компании говорят, что
сооружение заводов такого уровня крайне важно не только для самой Samsung,
но и для отрасли в целом, так как объемы производимых модулей позволят удержать
цены на минимально возможном уровне. По площади новая мощность занимает
территорию, эквивалентную 9 футбольным полям. К 2008 году производственная
мощность завода достигнет 60 000 подложек в месяц (из каждой подложки можно
сделать до сотни чипов памяти). Кроме того, в компании говорят, что новый
завод в Остине станет одним из первых в мире, где начнется производство
модулей по 50-нм технологической норме. Численность персонала новой производственной
мощности составит 1 600 человек. На сегодня в мире у Samsung насчитывается
15 полупроводниковых производственных мощностей, включая два завода в штате
Техас.